崗位職責(zé)
① 根據(jù)產(chǎn)品性能要求開(kāi)展新型薄膜材料的研發(fā)與性能測(cè)試工作
② 負(fù)責(zé)薄膜沉積工藝的設(shè)計(jì)、優(yōu)化與參數(shù)調(diào)試，提升膜層均勻性與附著力
③ 分析并解決薄膜制備過(guò)程中出現(xiàn)的技術(shù)問(wèn)題，提出改進(jìn)方案并實(shí)施驗(yàn)證
④ 操作和維護(hù)薄膜制備設(shè)備（如濺射、蒸發(fā)、CVD等），確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行
⑤ 運(yùn)用SEM、AFM、XPS等表面分析技術(shù)對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)與性能進(jìn)行檢測(cè)與評(píng)估
⑥ 參與新工藝的中試與量產(chǎn)導(dǎo)入，推動(dòng)研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
⑦ 編寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告、工藝文檔及相關(guān)技術(shù)資料，保障研發(fā)流程規(guī)范化

任職要求
① 材料科學(xué)與工程、物理化學(xué)、微電子或相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷
② 熟悉薄膜沉積技術(shù)（如磁控濺射、熱蒸發(fā)、CVD等）及真空系統(tǒng)原理
③ 掌握常見(jiàn)表面分析儀器（如SEM、AFM、XPS）的操作與數(shù)據(jù)解析能力
④ 具備良好的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)能力及數(shù)據(jù)分析技能，能使用模擬軟件進(jìn)行工藝優(yōu)化者優(yōu)先
⑤ 了解ISO、IEC等相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及安全生產(chǎn)規(guī)范
⑥ 具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)，適應(yīng)多學(xué)科交叉協(xié)作環(huán)境
⑦ 工作細(xì)致嚴(yán)謹(jǐn)，具備較強(qiáng)的問(wèn)題分析與解決能力以及持續(xù)學(xué)習(xí)意愿

崗位職責(zé)：
1、直接參與薄膜晶圓的工藝開(kāi)發(fā)、量測(cè)、工藝參數(shù)改進(jìn)。
2、直接參與超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)器件、超導(dǎo)納米線器件的工藝開(kāi)發(fā)，器件性能測(cè)試及數(shù)據(jù)分析。
3、負(fù)責(zé)運(yùn)行并維護(hù)相關(guān)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。
4、參與課題組相關(guān)研發(fā)工作，參與實(shí)驗(yàn)室建設(shè)工作。
5、參與知識(shí)產(chǎn)權(quán)的撰寫及申報(bào)。 任職要求：
1、碩士及以上學(xué)歷，超導(dǎo)電子學(xué)，半導(dǎo)體物理，微電子，真空技術(shù)，集成電路等專業(yè)及方向。
2、了解基本的超導(dǎo)材料知識(shí)，有脈沖激光沉積外延生長(zhǎng)、器件、芯片等工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
3、具有主動(dòng)工作和學(xué)習(xí)能力，較強(qiáng)的溝通和協(xié)調(diào)能力。

崗位職責(zé)：
1.從事低溫強(qiáng)磁場(chǎng)磁體、低溫工程等研究工作；
2.精通電氣工程、機(jī)械工程、低溫工程等優(yōu)先。 任職要求：
1、國(guó)內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)；
2、有在學(xué)術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)期發(fā)展的意愿；
3、電氣工程、機(jī)械工程、低溫工程等相關(guān)專業(yè)，有深厚的工程開(kāi)發(fā)或者物理理論基礎(chǔ)。

崗位職責(zé)：
1.熟悉氧化物薄膜生長(zhǎng)（PLD, MBE, Sputtering）、器件制備、超導(dǎo)性能測(cè)量、大尺寸薄膜（高通量薄膜）表征技術(shù)、靶材（或單晶）制備、低溫技術(shù)領(lǐng)域；
2.有設(shè)備設(shè)計(jì)和搭建、自動(dòng)化編程經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 任職要求：
1、國(guó)內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)；
2、有在學(xué)術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)期發(fā)展的意愿；
3、薄膜材料、超導(dǎo)材料，凝聚態(tài)物理等相關(guān)專業(yè)，有深厚的材料研究或者物理研究基礎(chǔ)。

崗位職責(zé)：
研究方向：超導(dǎo)薄膜
崗位職責(zé)：
1.熟悉氧化物薄膜生長(zhǎng)（PLD, MBE, Sputtering）、器件制備、超導(dǎo)性能測(cè)量、大尺寸薄膜（高通量薄膜）表征技術(shù)、靶材（或單晶）制備、低溫技術(shù)領(lǐng)域；
2.有設(shè)備設(shè)計(jì)和搭建、自動(dòng)化編程經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 任職要求：
1、國(guó)內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)；
2、有在學(xué)術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)期發(fā)展的意愿；
3、薄膜材料、超導(dǎo)材料，凝聚態(tài)物理等相關(guān)專業(yè)，有深厚的材料研究或者物理研究基礎(chǔ)。

崗位職責(zé)：
1、根據(jù)項(xiàng)目計(jì)劃及技術(shù)方案開(kāi)展研發(fā)實(shí)踐；
2、參與薄膜沉積工藝開(kāi)發(fā)以及相關(guān)設(shè)備日常維護(hù)；
3、輔助流片工作，整理總結(jié)技術(shù)文檔，撰寫工藝SOP；
4、完成壓電MEMS器件的輔助設(shè)計(jì)驗(yàn)證、流片及測(cè)試分析，編寫整理技術(shù)文檔；
5、完成平臺(tái)交辦的其它工作。 任職要求：
1、全日制本科及以上學(xué)歷，電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)、材料工程、機(jī)械工程、材料物理與化學(xué)、凝聚態(tài)物理、應(yīng)用物理、物理電子等相關(guān)專業(yè)；
2、有半導(dǎo)體知識(shí)儲(chǔ)備、微納加工技術(shù)背景、潔凈間實(shí)踐經(jīng)歷的優(yōu)先考慮；
3、熱愛(ài)半導(dǎo)體和微納加工工作，服從實(shí)驗(yàn)室管理規(guī)章制度，具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神，善于溝通，具備較強(qiáng)的實(shí)踐動(dòng)手能力，有長(zhǎng)期從業(yè)發(fā)展規(guī)劃。

崗位職責(zé)：
1.薄膜材料檢測(cè)。
2.對(duì)應(yīng)設(shè)備：
3個(gè)強(qiáng)光耐受性測(cè)試平臺(tái)（1030nm、795nm、10.6um）
PCI-300弱吸收測(cè)量?jī)x
1064nm高反射測(cè)量平臺(tái)
XRD與XRF 任職要求：
光學(xué)、材料學(xué)、物理、化學(xué)類背景，有材料檢測(cè)設(shè)備、光學(xué)檢測(cè)設(shè)備使用、操作、結(jié)果分析相關(guān)背景優(yōu)先；
有科研項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
有團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神，吃苦耐勞

崗位職責(zé)：
主要課題方向如下：
（1）隱身材料設(shè)計(jì)與理論模擬：研究隱身功能層材料體系及兼容設(shè)計(jì)，對(duì)基材和功能層的結(jié)構(gòu)特征和物質(zhì)特性提出理論方案。
（2）先進(jìn)真空沉積工藝開(kāi)發(fā)與優(yōu)化：基于電子束蒸鍍、磁控濺射工藝等基本真空沉積工藝，研究在特定基材上實(shí)現(xiàn)隱身功能的制備工藝；對(duì)結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行表征，研究工藝-結(jié)構(gòu)-性能的關(guān)系，建立對(duì)系列產(chǎn)品的工藝定制能力。
（3）電磁特性測(cè)試與隱身性能評(píng)估：針對(duì)所設(shè)計(jì)隱身材料的工作頻段，系統(tǒng)測(cè)試紙基功能材料的電磁性能及電磁波傳輸特性，綜合評(píng)估其隱身效能。
（4）工程化工藝及裝備開(kāi)發(fā)：根據(jù)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和樣品制作工藝，確定產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的工藝方案，開(kāi)發(fā)具有小批量生產(chǎn)驗(yàn)證能力的一體化裝備。

在合作導(dǎo)師指導(dǎo)下，獨(dú)立開(kāi)展上述研究方向中的課題；負(fù)責(zé)、參與真空沉積工藝開(kāi)發(fā)和優(yōu)化；進(jìn)行樣品的制備、表征和測(cè)試，及實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析；參與科研項(xiàng)目的申請(qǐng)和實(shí)施開(kāi)展。 任職要求：
（1）博士學(xué)位要為材料科學(xué)與工程、物理、化學(xué)、電子工程、光學(xué)工程等相關(guān)專業(yè)。
（2）研究背景：必須要具有深厚的材料科學(xué)、薄膜物理和電磁場(chǎng)理論基礎(chǔ)。具有真空沉積工藝（特別是磁控濺射、電子束蒸鍍）的研究或?qū)嵺`經(jīng)驗(yàn)。
具有以下一項(xiàng)或幾項(xiàng)研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先：隱身材料、超材料、功能薄膜、低維材料的研究背景；材料電磁特性（微波、紅外）的模擬計(jì)算或?qū)嶒?yàn)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)；熟悉材料和電磁場(chǎng)模擬工具（如COMSOL、CST、FDTD Solutions等）。
（3）能力要求：具備獨(dú)立開(kāi)展科學(xué)研究的能力，有較強(qiáng)的解決復(fù)雜實(shí)際問(wèn)題的能力；具備良好的中英文寫作和閱讀能力，能夠撰寫項(xiàng)目報(bào)告和研究論文；對(duì)科研有濃厚興趣，具有創(chuàng)新思維、團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和責(zé)任心。

崗位職責(zé)：
（1）負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和實(shí)施各類金屬膜層與介質(zhì)膜層（如Al、Au、Ti、Pt、SiO2、Si3N4、Al2O3等）的沉積工藝（包括但不限于磁控濺射、蒸發(fā)、PECVD等PVD/CVD技術(shù)）；
（2）負(fù)責(zé)現(xiàn)有薄膜工藝（金屬/介質(zhì)）的性能優(yōu)化、良率提升及成本控制；主導(dǎo)新薄膜工藝的開(kāi)發(fā)及相關(guān)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及工藝驗(yàn)證；
（3）負(fù)責(zé)編寫、維護(hù)與更新薄膜沉積工藝相關(guān)的技術(shù)文件，包括但不限于工藝規(guī)程、標(biāo)準(zhǔn)操作程序、參數(shù)記錄、工藝報(bào)告；
（4）負(fù)責(zé)與項(xiàng)目組、課題組、客戶溝通協(xié)調(diào)與合作，明確工藝需求，解決工藝相關(guān)問(wèn)題，推動(dòng)項(xiàng)目進(jìn)展；
（5）主導(dǎo)新型薄膜工藝設(shè)備的調(diào)研、選型與技術(shù)評(píng)估；參與設(shè)備采購(gòu)的技術(shù)論證、安裝調(diào)試與后續(xù)工藝匹配驗(yàn)證；負(fù)責(zé)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的監(jiān)控與維護(hù)協(xié)調(diào)。 任職要求：
（1）碩士及以上學(xué)歷，物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、自動(dòng)化等專業(yè)，英語(yǔ)四級(jí)及以上，能熟練查閱英文技術(shù)文獻(xiàn)及操作英文設(shè)備界面；
（2）具備3年及以上光學(xué)類薄膜生長(zhǎng)工藝實(shí)際開(kāi)發(fā)或優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
（3）熟悉或掌握薄膜設(shè)計(jì)/分析軟件者優(yōu)先；
（4）能熟練應(yīng)用日常辦公軟件；
（5）善于創(chuàng)新，有強(qiáng)大的抗壓能力，具備強(qiáng)烈的工作責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)。

崗位職責(zé)：
（1）負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和實(shí)施各類金屬膜層與介質(zhì)膜層（如Al、Au、Ti、Pt、SiO2、Si3N4、Al2O3等）的沉積工藝（包括但不限于磁控濺射、蒸發(fā)、PECVD等PVD/CVD技術(shù)）；
（2）負(fù)責(zé)現(xiàn)有薄膜工藝（金屬/介質(zhì)）的性能優(yōu)化、良率提升及成本控制；主導(dǎo)新薄膜工藝的開(kāi)發(fā)及相關(guān)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及工藝驗(yàn)證；
（3）負(fù)責(zé)編寫、維護(hù)與更新薄膜沉積工藝相關(guān)的技術(shù)文件，包括但不限于工藝規(guī)程、標(biāo)準(zhǔn)操作程序、參數(shù)記錄、工藝報(bào)告；
（4）負(fù)責(zé)與項(xiàng)目組、課題組、客戶溝通協(xié)調(diào)與合作，明確工藝需求，解決工藝相關(guān)問(wèn)題，推動(dòng)項(xiàng)目進(jìn)展；
（5）主導(dǎo)新型薄膜工藝設(shè)備的調(diào)研、選型與技術(shù)評(píng)估；參與設(shè)備采購(gòu)的技術(shù)論證、安裝調(diào)試與后續(xù)工藝匹配驗(yàn)證；負(fù)責(zé)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的監(jiān)控與維護(hù)協(xié)調(diào)。 任職要求：
（1）碩士及以上學(xué)歷，物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、自動(dòng)化等專業(yè)，英語(yǔ)四級(jí)及以上，能熟練查閱英文技術(shù)文獻(xiàn)及操作英文設(shè)備界面；
（2）具備3年及以上光學(xué)類薄膜生長(zhǎng)工藝實(shí)際開(kāi)發(fā)或優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
（3）熟悉或掌握薄膜設(shè)計(jì)/分析軟件者優(yōu)先；
（4）能熟練應(yīng)用日常辦公軟件；
（5）善于創(chuàng)新，有強(qiáng)大的抗壓能力，具備強(qiáng)烈的工作責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)。