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職位詳情
崗位職責
1.規(guī)劃SiC工藝平臺（如外延、離子注入、刻蝕、薄膜沉積、金屬化等）技術架構與發(fā)展重點。負責或指導SiC功率器件（SBD、MOSFET等）關鍵工藝模塊開發(fā)、優(yōu)化與驗證等；
2.提供工藝技術支持，主導解決量產(chǎn)中的重大工藝異常與良率問題；推進新工藝量產(chǎn)導入（NPI），解決過程關鍵技術問題；
3.建立并完善工藝質量控制與可靠性評估體系，制定關鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控與預警機制；組織制定工藝規(guī)范、檢驗標準和操作規(guī)程，并監(jiān)督執(zhí)行與持續(xù)優(yōu)化；
4.跟蹤國內外SiC工藝技術發(fā)展趨勢，進行技術調研與分析，為技術決策提供依據(jù)，指導團隊撰寫技術報告、論文、專利交底書等；
5.負責工藝開發(fā)團隊的培養(yǎng)與績效管理，組織內部技術培訓、技術分享和學術交流，提升團隊整體技術水平。
2.提供工藝技術支持，主導解決量產(chǎn)中的重大工藝異常與良率問題；推進新工藝量產(chǎn)導入（NPI），解決過程關鍵技術問題；
3.建立并完善工藝質量控制與可靠性評估體系，制定關鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控與預警機制；組織制定工藝規(guī)范、檢驗標準和操作規(guī)程，并監(jiān)督執(zhí)行與持續(xù)優(yōu)化；
4.跟蹤國內外SiC工藝技術發(fā)展趨勢，進行技術調研與分析，為技術決策提供依據(jù)，指導團隊撰寫技術報告、論文、專利交底書等；
5.負責工藝開發(fā)團隊的培養(yǎng)與績效管理，組織內部技術培訓、技術分享和學術交流，提升團隊整體技術水平。
任職要求
1.碩士及以上學歷，微電子、集成電路、材料、物理等相關專業(yè)（博士優(yōu)先）；
2.6年以上半導體工藝研發(fā)經(jīng)驗，其中至少3-5年專注于SiC或功率半導體領域，有國家級/省部級科研項目經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟悉功率器件工藝流程及質量控制體系，精通工藝參數(shù)優(yōu)化、良率提升及異常處理方法，能夠獨立解決復雜工藝技術問題；
4.具備出色的團隊領導和項目管理能力，優(yōu)秀的跨部門溝通協(xié)調能力，能與多方高效合作。
2.6年以上半導體工藝研發(fā)經(jīng)驗，其中至少3-5年專注于SiC或功率半導體領域，有國家級/省部級科研項目經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟悉功率器件工藝流程及質量控制體系，精通工藝參數(shù)優(yōu)化、良率提升及異常處理方法，能夠獨立解決復雜工藝技術問題；
4.具備出色的團隊領導和項目管理能力，優(yōu)秀的跨部門溝通協(xié)調能力，能與多方高效合作。
其他說明
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