聲明：本站部分公告與職位內(nèi)容由本站根據(jù)官方招聘公告進行整理編輯。由于用人單位需求專業(yè)、學歷學位、資格條件、職位編制、備注內(nèi)容等內(nèi)容情況復(fù)雜且有變化可能，是否符合招聘條件以用人單位公告為準或請聯(lián)系用人單位確認。本站整理編輯的職位信息僅供求職者參考，如因此造成的損失本站不承擔任何責任！
職位詳情
基本信息
其他要求
學歷要求：本科
需求專業(yè)：
該需求專業(yè)僅展示一級學科
崗位職責
主要負責氮化鎵（GaN）電子器件的流片工藝及測試工作：
1.工藝制備：負責微納加工超凈間內(nèi)的關(guān)鍵工藝操作（包括但不限于：光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發(fā)/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等）；
2.工藝維護：負責器件制備流程的優(yōu)化，解決流片過程中出現(xiàn)的技術(shù)問題，提高器件良率；
3.測試表征：負責半導體器件的電學性能測試（IV、CV、擊穿電壓等）及結(jié)構(gòu)表征（SEM、臺階儀、顯微鏡等）；
4.數(shù)據(jù)管理：負責實驗數(shù)據(jù)的記錄、整理與歸納，定期匯報實驗進度；
5.設(shè)備協(xié)作：完成團隊交辦的其他科研輔助工作。
1.工藝制備：負責微納加工超凈間內(nèi)的關(guān)鍵工藝操作（包括但不限于：光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發(fā)/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等）；
2.工藝維護：負責器件制備流程的優(yōu)化，解決流片過程中出現(xiàn)的技術(shù)問題，提高器件良率；
3.測試表征：負責半導體器件的電學性能測試（IV、CV、擊穿電壓等）及結(jié)構(gòu)表征（SEM、臺階儀、顯微鏡等）；
4.數(shù)據(jù)管理：負責實驗數(shù)據(jù)的記錄、整理與歸納，定期匯報實驗進度；
5.設(shè)備協(xié)作：完成團隊交辦的其他科研輔助工作。
任職要求
1.具有全日制本科及以上學歷，微電子、半導體物理、光電信息、材料科學等相關(guān)專業(yè)；
2.有超凈間（Cleanroom）工作經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟悉半導體微納加工工藝（黃光、刻蝕、鍍膜等）者優(yōu)先；
4.有氮化鎵（GaN）HEMT或其他功率/射頻器件制備經(jīng)驗者極佳；
5.動手能力強，工作細致耐心（工藝細節(jié)決定成敗），具有良好的團隊合作精神和溝通能力
2.有超凈間（Cleanroom）工作經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟悉半導體微納加工工藝（黃光、刻蝕、鍍膜等）者優(yōu)先；
4.有氮化鎵（GaN）HEMT或其他功率/射頻器件制備經(jīng)驗者極佳；
5.動手能力強，工作細致耐心（工藝細節(jié)決定成敗），具有良好的團隊合作精神和溝通能力
其他說明
工作地點：東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)
應(yīng)聘材料
個人簡歷（包括個人概況、學習工作履歷）以及能夠證明個人能力的相關(guān)應(yīng)聘材料。
應(yīng)聘材料
個人簡歷（包括個人概況、學習工作履歷）以及能夠證明個人能力的相關(guān)應(yīng)聘材料。
競爭力分析
解鎖詳細分析
您與該職位匹配度: ***，已超過了
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您在 ？位置
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一般
比較匹配
非常匹配
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