博士后研究員（高Al組分AlGaN/AlN基功率電子器件）

30-34萬/年

深圳博士研究生若干人 2026-03-27發(fā)布查看公告詳情

五險(xiǎn)一金績效獎(jiǎng)金生活補(bǔ)貼

競爭力分析

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職位詳情

基本信息

職位名稱：博士后研究員（高Al組分AlGaN/AlN基功率電子器件）

職位類型：博士后

工作地點(diǎn)：廣東深圳

招聘人數(shù)：若干

報(bào)名方式：站內(nèi)投遞

截止時(shí)間：詳見正文

工作性質(zhì)：全職

其他要求

學(xué)歷要求：博士研究生

需求專業(yè)：

物理學(xué), 材料科學(xué)與工程, 電氣工程, 電子科學(xué)與技術(shù)

該需求專業(yè)僅展示一級(jí)學(xué)科

崗位職責(zé)

研究方向：高Al組分AlGaN/AlN基功率電子器件

任職要求

歡迎以下背景的候選人：
●III族氮化物或?qū)捊麕О雽?dǎo)體相關(guān)方向（材料生長、器件工藝、表征測試等）
●功率器件或RF器件方向（GaN、SiC等，希望向超寬禁帶新賽道拓展）
●半導(dǎo)體器件仿真方向（希望結(jié)合實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證）
●材料科學(xué)相關(guān)方向（具有半導(dǎo)體器件工藝和表征經(jīng)驗(yàn)者）

招聘標(biāo)準(zhǔn)：
1.具有良好的思想政治素質(zhì)和品德學(xué)風(fēng)；
2.已取得或即將取得材料科學(xué)、微電子、物理、電子工程等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位，獲得博士學(xué)位一般不超過3年；
3.具有很好的半導(dǎo)體物理專業(yè)知識(shí)，很強(qiáng)的動(dòng)手能力，熟練掌握材料生長和測試表征技術(shù)，以第一作者發(fā)表過高水平學(xué)術(shù)論文，具備獨(dú)立科研能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神；
4.進(jìn)站后須全職從事博士后研究工作；
5.身體健康，符合北京大學(xué)博士后的招收條件。

其他說明

我們的獨(dú)特優(yōu)勢：
√III族氮化物MOCVD外延能力
√完善的潔凈室器件工藝和表征平臺(tái)
√超寬禁帶半導(dǎo)體方向前沿，大量原創(chuàng)性工作機(jī)會(huì)
√對博后職業(yè)發(fā)展的全力支持

薪資福利：
1.聘期一般兩年，年薪30-34萬元（稅前，含五險(xiǎn)一金），包括基本年薪12-16萬元/年及深圳市在站博士后生活補(bǔ)助18萬元/年）；
2.優(yōu)秀者推薦申請“博雅博士后”等人才項(xiàng)目，待遇按博雅博后標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行；
3.可獲得科研績效獎(jiǎng)勵(lì)；
4.出站后留深圳工作并與本市企事業(yè)單位簽訂3年以上合同的，可申請深圳市生活資助36萬元；
5.推薦申請中國博士后科學(xué)基金面上資助項(xiàng)目、國自然青年基金、廣東省自科基金、聯(lián)合基金、深圳市自科基金等科研項(xiàng)目
6.協(xié)助解決學(xué)校宿舍或人才公寓。

申請材料：
請發(fā)送CV、代表性論文和簡要研究興趣說明。

競爭力分析

解鎖詳細(xì)分析

您與該職位匹配度: ***，已超過了 *** 的競爭者，建議************

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